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產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Power Dissipation 310 mW,

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NTE Electronics, Inc.
JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Power Dissipation 310 mW,
型號(hào)：NTE457
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70215786
搜索

Vishay / Small Signal & Opto Products (SSP)
Diode; 30 mA; 40 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 0.9 V (Max.); 320 K/W; 2.2 pF (Max
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Power Dissipation 310 mW,
型號(hào)：SD101C
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70061709
搜索

Vishay / Small Signal & Opto Products (SSP)
Diode; 30 mA; 60 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 1 V (Max.); 320 K/W; 2.0 pF (Max.)
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Power Dissipation 310 mW,
型號(hào)：SD101A-TR
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70061708
搜索

Vishay / Small Signal & Opto Products (SSP)
Diode; 30 mA; 40 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 0.9 V (Max.); 320 K/W; 2.2 pF (Max
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Power Dissipation 310 mW,
型號(hào)：SD101C
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70061709
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