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SI4435DYPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.015Ohm; ID -8A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V; -55

International Rectifier SI4435DYPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產(chǎn)品編號：
SI4435DYPBF
倉庫庫存編號：
70017629
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View SI4435DYPBF Datasheet Datasheet
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SI4435DYPBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

SI4435DYPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2320 pF @ -15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  -8 A  
  Dimensions  5 x 4 x 1.5 mm  
  Gate Charge, Total  40 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.035 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  130 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  11 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  40 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain -8 A  International Rectifier Current, Drain -8 A  MOSFET Transistors Current, Drain -8 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -8 A   Dimensions 5 x 4 x 1.5 mm  International Rectifier Dimensions 5 x 4 x 1.5 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5 x 4 x 1.5 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5 x 4 x 1.5 mm   Gate Charge, Total 40 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 40 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 40 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 40 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W  International 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