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IRLR3410PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; D-Pak (TO-252AA); PD 79W

International Rectifier IRLR3410PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRLR3410PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017457
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRLR3410PBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線(xiàn)： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLR3410PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLR3410PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  800 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  17 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  34 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  79 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.155 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  30 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.2 ns  
  Transconductance, Forward  7.7 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 34 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Rectifier Current, Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 34 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 79 W  International Rectifier Power Dissipation 79 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W  International Rectifier MOSFET 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Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
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