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IRLB3034PBF - 

IRLB3034PBF N-channel MOSFET Transistor, 343 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB

International Rectifier IRLB3034PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRLB3034PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70019829
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRLB3034PBF Datasheet Datasheet
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IRLB3034PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  10315 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  343 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Power Dissipation  375 W  
  Resistance, Drain to Source On  2 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  97 ns  
  Time, Turn-On Delay  65 ns  
  Transconductance, Forward  286 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  54 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Rectifier Current, Drain 343 A  MOSFET Transistors Current, Drain 343 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 343 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 375 W  International Rectifier Power Dissipation 375 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W   Resistance, Drain to Source On 2 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 97 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 97 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 97 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 97 ns   Time, Turn-On Delay 65 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 65 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 65 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 65 ns   Transconductance, Forward 286 S  International Rectifier Transconductance, Forward 286 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 286 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 286 S   Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 4.5 V   Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 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