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IRL3803PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.006Ohm; ID 140A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-16V

International Rectifier IRL3803PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRL3803PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017617
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRL3803PBF Datasheet Datasheet
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IRL3803PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRL3803PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5000 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  140 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  140 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.009 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  29 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  55 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 140 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 16 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 140 A  MOSFET Transistors Current, Drain 140 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 140 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 140 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 140 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 140 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 140 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 29 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 29 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 29 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 29 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 55 S  International Rectifier Transconductance, Forward 55 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 55 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 55 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 140 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 140 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 140 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 140 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 16 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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