IRFR9120NTRPBF - 

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 350 pF @ -25 V  International Rectifier Capacitance, Input 350 pF @ -25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 350 pF @ -25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 350 pF @ -25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  International Rectifier Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -6.6 A  International Rectifier Current, Drain -6.6 A  MOSFET Transistors Current, Drain -6.6 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -6.6 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 27 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 27 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 27 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 27 nC   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 40 W  International Rectifier Power Dissipation 40 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 40 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 40 W   Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.48 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Time, Turn-Off Delay 28 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 28 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 28 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 28 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 27 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 27 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 27 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 27 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V   Voltage, Drain to Source –100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source –100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source –100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source –100 V   Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.6 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)