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IRFR1010ZPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 5.8Milliohms; ID 42A; D-Pak (TO-252AA); -55deg

International Rectifier IRFR1010ZPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFR1010ZPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017236
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFR1010ZPBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線(xiàn)： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFR1010ZPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFR1010ZPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2840 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  91 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  63 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  7.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  42 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  31 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  63 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Rectifier Current, Drain 91 A  MOSFET Transistors Current, Drain 91 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 91 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 63 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W   Resistance, Drain to Source On 7.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 7.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 7.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 7.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 42 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 42 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 42 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 42 ns   Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 17 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns   Transconductance, Forward 31 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 31 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 31 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 31 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
電話(huà):400-900-3095
QQ:800152669
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