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IRFP3710PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.025Ohm; ID 57A; TO-247AC; PD 200W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP3710PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFP3710PBF
倉庫庫存編號(hào)：
70017038
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRFP3710PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP3710PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3000 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  57 A  
  Dimensions  15.90 x 5.30 x 20.30 mm  
  Gate Charge, Total  190 nC  
  Height  0.799" (20.3mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.025 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  58 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  20 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 190 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.209" (5.3mm)  
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Drain 57 A  MOSFET Transistors Current, Drain 57 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 57 A   Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm   Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 190 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC   Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier Height 0.799" (20.3mm)  MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power 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Transistors Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)  
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