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IRFP260NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.04Ohm; ID 50A; TO-247AC; PD 300W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP260NPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFP260NPBF
倉庫庫存編號：
70017036
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFP260NPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFP260NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP260NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  4057 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  50 A  
  Dimensions  15.90 x 5.30 x 20.30 mm  
  Gate Charge, Total  234 nC  
  Height  0.799" (20.3mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  300 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.04 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.5 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  55 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  27 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 234 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.3mm)  
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Drain 50 A  MOSFET Transistors Current, Drain 50 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 50 A   Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm   Gate Charge, Total 234 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 234 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 234 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 234 nC   Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier Height 0.799" (20.3mm)  MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 300 W  International Rectifier Power Dissipation 300 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W   Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.5 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.5 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.5 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 55 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns   Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 17 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns   Transconductance, Forward 27 S  International Rectifier Transconductance, Forward 27 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 27 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 27 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 234 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 234 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 234 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 234 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.3mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)  
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