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IRFL4105PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ohm; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFL4105PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFL4105PBF
倉庫庫存編號：
70017599
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFL4105PBF Datasheet Datasheet
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IRFL4105PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFL4105PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  660 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  5.2 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  23 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.1 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.045 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  19 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.1 ns  
  Transconductance, Forward  3.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  23 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Rectifier Current, Drain 5.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain 5.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 5.2 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 23 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 23 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 23 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 23 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier Power Dissipation 2.1 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W   Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 19 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 19 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 19 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 19 ns   Time, Turn-On Delay 7.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.1 ns   Transconductance, Forward 3.8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 3.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs 23 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 23 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 23 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 23 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International 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(3.7mm)  
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