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IRFL024ZPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 46.2 Milliohms; ID 5.1A; SOT-223; PD 1W; VF 1.3V

International Rectifier IRFL024ZPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFL024ZPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017223
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFL024ZPBF Datasheet Datasheet
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IRFL024ZPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFL024ZPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  340 pF @ 25V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  5.1 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  9.1 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.8 W  
  Resistance, Drain to Source On  57.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  30 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.8 ns  
  Transconductance, Forward  6.2 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  9.1 nC @ 10V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Rectifier Current, Drain 5.1 A  MOSFET Transistors Current, Drain 5.1 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 5.1 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 9.1 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 9.1 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 9.1 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 9.1 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.8 W  International Rectifier Power Dissipation 2.8 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.8 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.8 W   Resistance, Drain to Source On 57.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 57.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 57.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 57.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 30 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns   Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.8 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns   Transconductance, Forward 6.2 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 6.2 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6.2 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6.2 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 9.1 nC @ 10V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 9.1 nC @ 10V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 9.1 nC @ 10V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 9.1 nC @ 10V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier Width 0.146" (3.7mm)  MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  
電話:400-900-3095
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