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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1256 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	40 A
Dimensions	6.00 x 5.00 x 0.85 mm
Height	0.033" (0.85mm)
Length	0.236" (6mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	46 W
Resistance, Drain to Source On	14.4 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	12 ns
Time, Turn-On Delay	5.4 ns
Transconductance, Forward	27 S
Typical Gate Charge @ Vgs	21 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	60 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.197" (5mm)
關(guān)鍵詞

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1256 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 1256 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1256 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1256 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier Configuration Quad Drain, Triple Source  MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source   Current, Drain 40 A  International Rectifier Current, Drain 40 A  MOSFET Transistors Current, Drain 40 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 40 A   Dimensions 6.00 x 5.00 x 0.85 mm  International Rectifier Dimensions 6.00 x 5.00 x 0.85 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.00 x 5.00 x 0.85 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.00 x 5.00 x 0.85 mm   Height 0.033" (0.85mm)  International Rectifier Height 0.033" (0.85mm)  MOSFET Transistors Height 0.033" (0.85mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.033" (0.85mm)   Length 0.236" (6mm)  International Rectifier Length 0.236" (6mm)  MOSFET Transistors Length 0.236" (6mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.236" (6mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type PQFN  International Rectifier Package Type PQFN  MOSFET Transistors Package Type PQFN  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type PQFN   Power Dissipation 46 W  International Rectifier Power Dissipation 46 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 46 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 46 W   Resistance, Drain to Source On 14.4 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 14.4 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14.4 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14.4 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 12 ns   Time, Turn-On Delay 5.4 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 5.4 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.4 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.4 ns   Transconductance, Forward 27 S  International Rectifier Transconductance, Forward 27 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 27 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 27 S   Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.197" (5mm)  International Rectifier Width 0.197" (5mm)  MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)