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IRFH4251DTRPBF - 

MOSFET, 25V, 45 A Power Block in PQFN 5x6 package

International Rectifier IRFH4251DTRPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFH4251DTRPBF
倉庫庫存編號：
70394809
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFH4251DTRPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFH4251DTRPBF產(chǎn)品概述

IR's FastIRFET™ family offers benchmark performance with best in-class R*Q figure of merit. The family features optimized packaging tailored to application requirements for size reduction. Ideal for high frequency applications requiring low switching loss or high light load efficiency. Excellent choices for DC-DC and POL cutting edge applications, such as base station power amplifiers, high performance DC-DC bricks, Platinum+ power supplies and high end battery driven motors.

Features:
  • Control and synchronous MOSFETs in one package
  • Low charge control MOSFET (10 nC typical)
  • Low RDSON synchronous MOSFET (<1.10 mΩ)
  • Intrinsic Schottky Diode with Low Forward Voltage on Q2
  • RoHS Compliant, Halogen-Free
  • MSL1, Industrial Qualification

    • IRFH4251DTRPBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  FASTIRFET Series  
      Capacitance, Input  nC  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual  
      Current, Drain  64/188 A  
      Dimensions  5 x 6 x 0.9 mm  
      Height  0.035" (0.9mm)  
      Length  0.236" (6mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  Dual PQFN  
      Power Dissipation  31/63 W  
      Resistance, Drain to Source On  4.6/1.1 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  13/35 ns  
      Time, Turn-On Delay  10/24 ns  
      Transconductance, Forward  131/161 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  10/44  
      Voltage, Drain to Source  25 V  
      Voltage, Forward, Diode  1/0.75 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.197" (5mm)  
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Transistors Current, Drain 64/188 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 64/188 A   Dimensions 5 x 6 x 0.9 mm  International Rectifier Dimensions 5 x 6 x 0.9 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5 x 6 x 0.9 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5 x 6 x 0.9 mm   Height 0.035" (0.9mm)  International Rectifier Height 0.035" (0.9mm)  MOSFET Transistors Height 0.035" (0.9mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.035" (0.9mm)   Length 0.236" (6mm)  International Rectifier Length 0.236" (6mm)  MOSFET Transistors Length 0.236" (6mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.236" (6mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type Dual PQFN  International Rectifier Package Type Dual PQFN  MOSFET Transistors Package Type Dual PQFN  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type Dual PQFN   Power Dissipation 31/63 W  International Rectifier Power Dissipation 31/63 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 31/63 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 31/63 W   Resistance, Drain to Source On 4.6/1.1 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 4.6/1.1 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.6/1.1 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.6/1.1 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET 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