amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol(安費(fèi)諾)全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結(jié)果里搜索:    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRFB59N10DPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.025Ohm; ID 59A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-30V

International Rectifier IRFB59N10DPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
IRFB59N10DPBF
倉庫庫存編號:
70017022
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFB59N10DPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時(shí)更新,下單前請與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時(shí)在庫數(shù)量,謝謝合作!

IRFB59N10DPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2450 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  59 A  
  Gate Charge, Total  76 nC  
  Height  0.345" (8.77mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.025 mΩ  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  20 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  18 S  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
關(guān)鍵詞         

IRFB59N10DPBF客戶還搜索了

  • 參考圖片
  • 制造商 / 說明 / 型號 / 倉庫庫存編號
  • PDF
  • 操作

IRFB59N10DPBF相關(guān)搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 2450 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 59 A  International Rectifier Current, Drain 59 A  MOSFET Transistors Current, Drain 59 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 59 A   Gate Charge, Total 76 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 76 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 76 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 76 nC   Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier Height 0.345" (8.77mm)  MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 mΩ   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 20 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns   Transconductance, Forward 18 S  International Rectifier Transconductance, Forward 18 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 18 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 18 S   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±30 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關(guān)于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 www.training-know-how.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持:電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號