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IRFB260NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.04Ohm; ID 56A; TO-220AB; PD 380W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFB260NPBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRFB260NPBF
倉庫庫存編號(hào):
70017423
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFB260NPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFB260NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  4220 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  56 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  150 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  380 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.04 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.4 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  52 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  29 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  150 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 56 A  MOSFET Transistors Current, Drain 56 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 56 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 150 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 150 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 150 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 150 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 380 W  International Rectifier Power Dissipation 380 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W  International Rectifier MOSFET 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Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 52 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 52 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 52 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 52 ns   Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 17 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns   Transconductance, Forward 29 S  International Rectifier Transconductance, Forward 29 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 29 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 29 S   Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ 10 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Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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