amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol（安費諾）全系列產品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結果里搜索：    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRF8010PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 12Milliohms; ID 80A; TO-220AB; PD 260W; -55deg

International Rectifier IRF8010PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產品編號：
IRF8010PBF
倉庫庫存編號：
70017008
技術數(shù)據(jù)表：
View IRF8010PBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產品數(shù)據(jù)庫龐大，部分產品信息可能未能及時更新，下單前請與銷售人員確認好實時在庫數(shù)量，謝謝合作！

IRF8010PBF產品概述

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF8010PBF產品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3830 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  80 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 8.77 mm  
  Gate Charge, Total  81 nC  
  Height  0.345" (8.77mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  260 W  
  Resistance, Drain to Source On  15 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  61 ns  
  Time, Turn-On Delay  15 ns  
  Transconductance, Forward  82 V  
  Typical Gate Charge @ Vgs  81 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
關鍵詞         

IRF8010PBF相關搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 3830 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 3830 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 3830 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 3830 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 80 A  International Rectifier Current, Drain 80 A  MOSFET Transistors Current, Drain 80 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 80 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm   Gate Charge, Total 81 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 81 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 81 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 81 nC   Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier Height 0.345" (8.77mm)  MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 260 W  International Rectifier Power Dissipation 260 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 260 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 260 W   Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 61 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 61 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 61 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 61 ns   Time, Turn-On Delay 15 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 15 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 15 ns   Transconductance, Forward 82 V  International Rectifier Transconductance, Forward 82 V  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 82 V  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 82 V   Typical Gate Charge @ Vgs 81 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 81 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 81 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 81 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產品 | Amphenol產品應用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 www.training-know-how.com All Rights Reserved. 技術支持：電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號