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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	260 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	2.4 A
Dimensions	3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Height	0.036" (0.91mm)
Length	0.12" (3.05mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	1.25 W
Resistance, Drain to Source On	0.2 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	15 ns
Time, Turn-On Delay	5.7 ns
Transconductance, Forward	2.6 sec
Typical Gate Charge @ Vgs	5.3 nC @ 4.5 V
Voltage, Drain to Source	20 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	±12 V
Width	0.12" (3.05mm)
關鍵詞

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 260 pF @ 15 V  International Rectifier Capacitance, Input 260 pF @ 15 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 260 pF @ 15 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 260 pF @ 15 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier Configuration Quad Drain, Triple Source  MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source   Current, Drain 2.4 A  International Rectifier Current, Drain 2.4 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.4 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.4 A   Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm  International Rectifier Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm   Height 0.036" (0.91mm)  International Rectifier Height 0.036" (0.91mm)  MOSFET Transistors Height 0.036" (0.91mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.036" (0.91mm)   Length 0.12" (3.05mm)  International Rectifier Length 0.12" (3.05mm)  MOSFET Transistors Length 0.12" (3.05mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.12" (3.05mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Power Dissipation 1.25 W  International Rectifier Power Dissipation 1.25 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.25 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 1.25 W   Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International 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Transistors Time, Turn-On Delay 5.7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.7 ns   Transconductance, Forward 2.6 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 2.6 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.6 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.6 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V   Voltage, Drain to Source 20 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 20 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±12 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±12 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±12 V   Width 0.12" (3.05mm)  International Rectifier Width 0.12" (3.05mm)  MOSFET Transistors Width 0.12" (3.05mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.12" (3.05mm)