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IRF7410PBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 7 Milliohms; ID -16A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-8V

International Rectifier IRF7410PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF7410PBF
倉庫庫存編號：
70017583
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF7410PBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF7410PBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF7410PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  8676 pF @ -10 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  -16 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  91 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  13 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  271 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  55 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 91 nC @ -4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -12 V  
  Voltage, Drain to Source  -12 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±8 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain -16 A  International Rectifier Current, Drain -16 A  MOSFET Transistors Current, Drain -16 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -16 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 91 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 91 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 91 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 91 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power 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Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
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