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IRF7341PBF - 

IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 55 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF7341PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRF7341PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70017422
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
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IRF7341PBF產(chǎn)品概述

  • Generation V Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Surface Mount
  • Available in Tape & Reel
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Lead-Free
  • IRF7341PBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  780 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  5.1 A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
      Gate Charge, Total  24 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  2.4 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.065 Ω  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  31 ns  
      Time, Turn-On Delay  9.2 ns  
      Transconductance, Forward  10.4 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  29 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.157" (4mm)  
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Rectifier Current, Drain 5.1 A  MOSFET Transistors Current, Drain 5.1 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 5.1 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 24 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 24 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.4 W  International Rectifier Power Dissipation 2.4 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.4 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.4 W   Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W   Time, Turn-Off Delay 31 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 31 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 31 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 31 ns   Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 9.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns   Transconductance, Forward 10.4 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    MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

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    MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS

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    Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7341PBF)

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    Dual N-Channel 55 V 0.065 Ohm 36 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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    MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/N Power dissipation: 2.0 W

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    MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO

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    MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO

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    IRF7341PBF|International RectifierIRF7341PBF
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    IRF7341PBF
    INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341PBF
    2565741

    INTERNATIONAL RECTIFIER

    双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC

    (EN)
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    IRF7341PBF
    INFINEON IRF7341PBF
    9102035

    INFINEON

    双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

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    International Rectifier - IRF7341PBF - 8-Pin SOIC 55 V 4.7 A IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor|70017422 | ChuangWei Electronics
    International Rectifier
    IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 55 V, 8-Pin SOIC


    型号:IRF7341PBF
    仓库库存编号:70017422

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    Infineon - IRF7341PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装

    制造商零件编号:
    IRF7341PBF
    品牌:
    Infineon
    库存编号:
    541-1758
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    Infineon - IRF7341PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装

    制造商零件编号:
    IRF7341PBF
    品牌:
    Infineon
    库存编号:
    919-4921
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    IR - IRF7341PBF - MOSFET N/N, 55 V 4.7 A 2.0 W SO-8, IRF7341PBF, IR
    IR
    MOSFET N/N, 55 V 4.7 A 2.0 W SO-8, IRF7341PBF, IR


    型号:IRF7341PBF
    仓库库存编号:171-15-678

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