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IRF5305SPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID -31A; D2Pak; PD 110W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF5305SPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF5305SPBF
倉庫庫存編號：
70016963
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF5305SPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF5305SPBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF5305SPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1200 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  -31 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  63 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  110 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.06 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  39 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 63 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain -31 A  MOSFET Transistors Current, Drain -31 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -31 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 63 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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