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IRF3415SPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDS(ON) 0.042Ohm; ID 43A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF3415SPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF3415SPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017481
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRF3415SPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF3415SPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2400 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  43 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  200 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.042 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.75 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  71 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  19 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 200 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Drain 43 A  MOSFET Transistors Current, Drain 43 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 43 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 200 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 200 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 200 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 200 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET 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V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
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