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IRF2804S-7PPBF - 

MOSFET, N Ch., 40V, 320A, 1.6 MOHM, 170NC QG, D2-PAK 7-PIN, Pb-Free

International Rectifier IRF2804S-7PPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF2804S-7PPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017933
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF2804S-7PPBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF2804S-7PPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF2804S-7PPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  6930 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  320 A  
  Dimensions  10.8 x 8.15 x 4.55 mm  
  Height  0.179" (4.55mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  7  
  Package Type  D2PAK  
  Power Dissipation  330 W  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  220 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  170 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.321" (8.15mm)  
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電話:400-900-3095
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