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IRF1104PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.009Ohm; ID 100A; TO-220AB; PD 170W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF1104PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF1104PBF
倉庫庫存編號：
70016938
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF1104PBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF1104PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF1104PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2900 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  100 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  93 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  170 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.009 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  28 ns  
  Time, Turn-On Delay  15 ns  
  Transconductance, Forward  37 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 93 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 100 A  MOSFET Transistors Current, Drain 100 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 100 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 93 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 93 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 93 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 93 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 170 W  International Rectifier Power Dissipation 170 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W   Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 28 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 28 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 28 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 28 ns   Time, Turn-On Delay 15 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 15 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 15 ns   Transconductance, Forward 37 S  International Rectifier Transconductance, Forward 37 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 37 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 37 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 93 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 93 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 93 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 93 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V   Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET 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